AON7530_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4毫歐。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統整體能效。器件適用于高效率開關電源、便攜式設備的電源管理模塊以及需要大電流處理能力的電子系統，在高頻開關操作中仍能維持良好的熱穩定性和電氣性能。
