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AOD5N50_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:ID:5A 參數2:VDSS:500V 參數3:RDON:1300mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管(MOSFET)具有500V的漏源擊穿電壓(VDSS)和5A的連續漏極電流(ID),導通電阻(RDS(ON))為1300毫歐。器件適用于中高電壓開關場景,其電氣參數使其能夠在需要穩定耐壓與適度電流承載能力的電路中可靠工作。由于具備標準N溝道結構,可廣泛用于電源管理、負載開關及各類通用電子設備中的功率控制環節,兼顧效率與穩定性。

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