SISA84DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至4毫歐。器件采用標準封裝結構，適用于對導通損耗和效率要求較高的電源管理場景。其低RDS(ON)特性有助于減少發熱，提升系統整體能效，適合用于高頻率開關操作及大電流負載的應用環境。由于具備良好的熱穩定性和電氣性能，可滿足多種電子設備中功率轉換與控制的需求。
