NTD4913NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，在高電流開關應用中表現優異。器件適用于對功率密度和熱性能有較高要求的場合，可廣泛用于電源管理、電機驅動及各類高效能電子設備中的功率轉換環節。
