PJD55N03_L2_00001_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持80A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻為5毫歐。其低RDS(ON)有助于在高電流工作條件下有效抑制導通損耗，提升能效表現。適用于對功率處理能力和熱穩定性要求較高的電源管理、電機驅動及高頻開關電路等場合。器件結構設計使其在持續大電流或頻繁開關的應用中保持良好的電氣性能和可靠性。
