SPD50N03S2-07-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。較低的導通電阻有助于在高電流工作條件下有效抑制功率損耗，提升系統能效。其電氣特性適合用于對效率和熱管理有要求的開關電源、電池管理系統及各類高頻率功率轉換電路中，能夠支持穩定可靠的開關操作與能量傳輸。
