NTD4806NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流（ID）為80A，漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）典型值為5毫歐。在高電流工作條件下，低導通電阻有助于顯著降低功率損耗，提升系統效率。器件適用于高頻率開關電源、直流-直流轉換器及各類高效能電子設備中的功率管理模塊，能夠在緊湊電路布局中實現穩定可靠的開關性能。
