BSZ050N03LSGATMA1_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4mΩ。其低阻抗特性有效降低導通損耗，適用于高效率電源轉換、電池管理系統、電機驅動以及高頻開關應用等場景，在大電流工作條件下仍能保持良好的熱穩定性和電氣性能。
