SI7806ADN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至9mΩ。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機驅動及開關轉換等場景。器件采用標準封裝，便于集成于各類高頻率、高效率的電子電路中，滿足緊湊型設計對空間與性能的雙重需求。
