PJD80N03_L2_00001_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。器件在高電流條件下表現出較低的導通損耗，有助于提升系統效率并減少發熱。其電氣特性適用于對功率密度和熱管理有較高要求的中低壓開關應用，常見于電源轉換、電池管理系統及高效率直流開關電路等場景。
