SI7784DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，柵源電壓（VGS）額定值為20V。其低導通電阻有助于在大電流應用中有效抑制功率損耗和溫升，適用于高效率直流開關電路、同步整流結構以及對熱性能要求較高的電源管理模塊，能夠支持緊湊型高功率密度設計。
