AON7402_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為9毫歐。較低的導通電阻有助于在高電流工作條件下減少功率損耗，提升整體能效。其電氣特性適用于需要高效開關性能和良好熱穩定性的場合，如電源轉換模塊、電機控制電路及各類高頻率開關應用。器件在緊湊布局中仍可維持可靠運行，適合對空間和效率有要求的電子系統。
