IRF8113GTRPBF-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備18A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。低導通電阻有效降低導通損耗，提升系統效率，適用于高電流、高頻率的開關應用場景。其電氣特性適合用于電源轉換、電池管理系統、便攜式設備供電以及各類需要高效能功率控制的電子裝置中。
