AUIRFB4410-IR_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備70A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）典型值為8.5毫歐。器件適用于對導通損耗和熱性能有較高要求的電源開關應用，其低阻特性有助于提升能效并簡化散熱設計。憑借較高的電壓與電流能力，可廣泛用于高效電源轉換、電機控制及各類高功率電子系統中的開關環節。
