NTD4810NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至7毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，在高頻率開關或大電流應用中表現穩定。器件結構支持快速開關特性，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機驅動及便攜式電子設備等場景，能有效平衡性能與功耗需求。
