BSC0704LSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有65A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至8毫歐。其低導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。適用于高效率電源轉換、電機驅動、電池管理系統以及各類需要大電流處理能力的電子裝置，能夠在緊湊布局中實現良好的熱性能與可靠運行。
