SIS472DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:35A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:7.5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有35A的連續漏極電流和30V的最大漏源電壓,導通電阻為7.5毫歐。在典型工作條件下,其低導通電阻有助于有效降低功率損耗,提升系統效率。適用于需要高電流承載能力和快速開關響應的電源轉換、電池管理系統以及各類高效能電子設備中的功率控制環節。器件結構設計兼顧了熱穩定性和開關性能,適合對體積與效率有較高要求的應用場景。
