AON7200_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有45A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為6毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。低RDS(ON)有助于在高負載條件下減少導通損耗，提升整體能效。適用于對功率密度和熱性能有較高要求的應用場景，如高性能計算設備、多相電源模塊、便攜式儲能系統及高效DC-DC轉換器等。其電氣特性支持穩定可靠的高頻開關操作，便于在緊湊型電路布局中實現優化設計。
