STL65N3LLH5-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為4.7毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。低導通電阻有效降低導通損耗，提升整體能效，適用于高電流、高頻開關的電源轉換、電機控制及各類高效功率調節系統。其電氣參數組合使其在緊湊型設計中仍能維持良好的熱穩定性和開關性能。
