BSC057N03LSGATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。其低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，在大電流工作條件下仍能保持良好的熱穩定性。適用于高效率電源轉換、電機控制及各類需要頻繁開關操作的電子系統中，能夠可靠支持高功率密度設計需求。
