TSM038N03PQ33 RGG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及2.9毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在大電流工作條件下維持較高的能效。適用于高功率密度的電源系統、電機驅動電路及高頻開關應用，能夠在緊湊的電路布局中提供穩定的電氣性能和良好的熱表現。
