SIRA16DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至5.7毫歐，適用于對導通損耗和熱管理要求較高的電源應用。其低RDS(ON)有助于在高電流工作條件下維持較低的功耗，提升系統效率。典型應用場景包括開關電源、電池供電設備中的功率開關以及需要高效能功率轉換的緊湊型電子系統。
