AON7416_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有45A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，有助于提升系統整體效率。適用于高電流、高頻率的開關應用場景，如電源管理模塊、電機驅動電路及高效能計算設備中的功率調節單元。器件在高負載條件下仍能保持良好的熱性能與電氣穩定性。
