NTMFS4C10NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5.7毫歐。其低導通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低功率損耗與溫升，適用于對效率和熱性能有較高要求的電源轉換及開關應用。典型使用場景包括直流-直流轉換器、電池管理系統以及各類高密度功率模塊，能夠支持緊湊布局下的穩定高效運行。
