IPW65R095C7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）達36A，導通電阻（RDS(on)）為75mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與優異的開關性能，適用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置及高頻電力電子設備。其寬柵壓范圍有助于提升驅動電路的適配性與運行穩定性。
