TK090Z65Z,S1F_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備高擊穿電場強度和低導通損耗特性，適用于高頻開關電源、高效能轉換器等對效率與熱管理有較高要求的電力電子應用，在緊湊布局中仍能維持穩定可靠的開關性能。
