SCT3030ALHRC11-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流ID為99A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(on)為26mΩ，柵源電壓VGS工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓、大電流條件下展現出較低的導通與開關損耗，適用于高頻電源轉換、可再生能源系統及高效率電力電子設備。其寬VGS范圍提升了驅動電路的設計靈活性，同時低RDS(on)有助于優化熱管理與系統整體能效。
