STF40N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），在25℃條件下導通電阻（RDS(ON)）典型值為95mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于高效率、高頻開關場景。器件憑借碳化硅材料特性，在高溫與高壓環境下仍能保持穩定電氣性能，適合用于對能效和功率密度要求較高的電源轉換系統中。
