IPBE65R099CFD7AATMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:34A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有34A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為95mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的應用場景，如數據中心電源、光伏逆變系統以及高頻率AC-DC或DC-DC轉換器等。
