UJ3C065080K3S-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換系統、可再生能源并網設備以及高密度電力電子模塊中，能夠支持緊湊型電路設計與長期穩定運行。
