NTBL050N65S3H-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有63A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為58mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場景。其低導通電阻有助于減小導通損耗，提升系統整體能效，同時寬柵壓范圍增強了驅動兼容性與可靠性。
