STW62N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為58mΩ，在-10V至@5V的柵源電壓范圍內穩定工作。憑借碳化硅材料的優異特性，器件在高頻、高效率應用場景中表現出較低的開關損耗與導通損耗，適用于對能效和熱管理要求較高的電力電子系統。其電氣參數組合使其能夠在高功率密度設計中提供可靠性能，同時支持緊湊型電路布局。
