IMW65R083M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為75mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能電力電子設備中，能夠在嚴苛電氣環境下實現低損耗與高可靠性運行。
