GC080N65QF_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，展現出較低的導通損耗和優異的高頻開關性能，適用于高效率電源轉換、光伏逆變系統、數據中心供電及高頻電力電子設備，在高溫或高開關頻率環境下仍可維持穩定運行。
