STW50N65DM2AG-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與高開關速度特性，適用于高頻、高效率的電源轉換系統。其寬柵壓容限提升了驅動兼容性，同時在高溫環境下仍能保持穩定電氣性能，適合用于對體積和熱管理有較高要求的電力電子應用。
