BSC097N06NSTATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備65A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）典型值為8毫歐。器件在中高功率開關應用中可實現較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能有要求的電源管理、電機控制及直流-直流轉換等電路。其電氣參數組合使其在頻繁開關或持續大電流工況下仍能保持穩定工作特性。
