NCE65T360K_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為260mΩ，柵源電壓VGS工作范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具備低導通損耗與優異的高頻開關特性，適用于高效率電源、通信電源、光伏逆變器及儲能轉換系統等場景，有助于提升整體能效與功率密度。
