NTMFS4926NET1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持80A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻典型值為4.7毫歐，柵源電壓額定值達20V。其低導通電阻有效減少導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較低溫升。器件適用于高效率電源管理、直流-直流轉換器、電機控制及高頻開關電路等場合，能夠在緊湊布局中提供穩定的電氣性能和良好的熱表現。
