SIR5102DP-T1-BE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備120A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為3.6毫歐。低導通電阻有助于在大電流工作條件下顯著降低功率損耗，提升整體能效。器件適用于高頻率開關場景，可有效支持電源轉換、電機驅動及各類高功率電子系統中的關鍵開關功能，其電氣特性確保在嚴苛負載下仍維持穩定運行。
