PJMF280N65E1_T0_00001_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為15A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為260mΩ，柵源驅動電壓范圍VGS為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料優勢，在高電壓工作條件下具備較低的導通損耗和良好的熱穩定性，適用于高頻開關電源、高效電能轉換及對系統效率要求較高的電力電子應用。其寬VGS范圍有助于適配多種驅動電路，提升運行可靠性。
