NVTFS4C13NWFTAG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有35A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及7.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其參數組合適合中等功率的開關應用，在導通損耗與成本之間取得良好平衡。器件可應用于高效率電源模塊、電池供電設備及各類需要緊湊布局的電力電子電路中，適用于對熱管理和空間占用有一定要求的場合。
