CSD17578Q5AT-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5.7毫歐。在高電流應用中，其較低的導通電阻有助于顯著減少功率損耗，提升系統能效。器件適用于對熱性能和效率有較高要求的電源管理場景，如直流-直流轉換器、電池供電設備中的功率開關以及便攜式電子產品的高效能量傳輸環節。
