NCE65T360F_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為15A，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻典型值為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關和高溫條件下仍能維持較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源系統，如通信設備供電、可再生能源轉換裝置及高頻開關電源等應用場景。
