GKI03061-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏極連續電流（ID）為80A，漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）為4.7mΩ，柵源電壓（VGS）最大額定值為20V。器件在高電流條件下保持較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能有較高要求的電源轉換、電池管理系統及各類開關電路中，能有效支持大電流負載的穩定運行。
