NVD4806NT4G-VF01_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗特性，使其適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換、電機驅動及高密度功率模塊等場景。器件在大電流工作條件下仍能保持較低溫升，有助于簡化散熱設計并提升系統整體可靠性。
