NTMFS4120NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:90A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備90A的連續漏極電流，漏源擊穿電壓為30V，導通電阻僅為3.5毫歐，柵源電壓額定值達20V。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。適用于高電流、高效率要求的電源管理、同步整流及電機控制等應用場合，在高頻開關條件下仍可維持良好的熱穩定性和電氣性能。
