TK7P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:8.6A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:525mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極連續電流為8.6A，漏源擊穿電壓達800V，導通電阻為525mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，在高電壓和中等電流條件下展現出較低的導通損耗與良好的開關性能，適用于高頻電源轉換、可再生能源系統及高效率電力電子設備。其寬柵壓容限有助于提升驅動兼容性與系統穩定性。
