NTMFS4C09NBT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統效率。高電流能力與低阻抗特性使其適用于大功率電源管理、高效DC-DC轉換器及對散熱和空間有嚴格要求的電子裝置。在高頻開關操作中，器件能維持良好的動態響應和穩定性，適合用于高性能電力電子系統。
