STF11N65M5_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:7.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）達7.1A，導通電阻（RDS(ON)）為410mΩ。其柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，支持寬泛的驅動條件并具備良好的抗誤觸發能力。器件利用碳化硅材料優勢，在高頻開關應用中展現出低損耗與高效率特性，適用于高功率密度電源、可再生能源轉換系統及各類高效電力電子設備。
