SPD07N60C3T_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為550mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，確保在多種驅動條件下穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫性能與開關特性，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換系統。其低導通損耗和快速開關能力有助于提升整體系統能效，適合用于高頻、高功率密度的電力電子應用場合。
